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08.31 华为芯片密度将破400M，国产EUV光刻效率反超ASML，十年封锁被打破了？
📌 概要
视频称华为芯片密度路线图显示2029年9080芯片达400MTr/mm²，比台积电提前两年；国产LDP-EUV光刻机每小时处理250片，功耗降40%，成本约为进口三分之一；叠加3D逻辑堆叠技术，联合实验室18个月即从实验室推进到试产，探讨十年封锁下的国产芯片突围路径。
⚡ 关键要点
- ▸华为路线图：2029年9080芯片密度达400MTr/mm²，领先台积电两年
- ▸国产LDP-EUV效率反超ASML：250片/小时，功耗降40%，成本约进口1/3
- ▸3D逻辑堆叠突破平面光刻精度限制，联合实验室18个月到试产
华为芯片密度将破400M，国产EUV光刻效率反超ASML？十年封锁能否被打破，本期视频用数据拆解中国芯片的突围路径。 - 华为芯片密度路线图：2029年9080达到400MTr/mm²，比台积电提前两年 - 国产LDP-EUV光刻技术：每小时处理250片，功耗降低40%，成本约为进口设备三分之一 - 3D逻辑堆叠：从平面芯片走向立体芯片，突破传统光刻精度限制 - 联合实验室18个月从实验室推进到试产 视频来源：Mr Question 本视频内容仅为分享交流，所述观点不代表本账号立场。