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消息称美光正探索开发近GPU NAND闪存以运行更大的LLM
📋总体概括
据媒体报道,美光正在探索开发「近GPU NAND」架构,即把高耐久性NAND闪存模块部署在靠近GPU的位置,作为HBM与常规DRAM之外的补充存储层。该方案面向不需要超低延迟和超高带宽的工作负载,GPU可直接访问数百GB的存储池,重点提升I/O速度、带宽和读取速度,目标是让大语言模型摆脱内存容量的限制。这一动向反映出AI推理时代存储分层正从传统「DRAM+SSD」向GPU侧深度延伸的产业趋势。
⚡关键信息
- ▸美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块,架构暂名「近GPU NAND」
- ▸该方案瞄准不需HBM或常规DRAM那样高延迟、高带宽的工作负载
- ▸GPU将能直接访问数百GB的NAND存储池,减少LLM受内存容量限制
- ▸技术定位是兼顾密度与耐久性,重点提升I/O速度、带宽和读取速度
🔥犀利点评
本质是HBM太贵太大,美光想用NAND在GPU边上堵住内存墙的缺口。方向不新——SSD直连GPU算力框架早有人做——但由美光这种存储巨头下场推动,说明AI推理的存储分层已成刚需。不过NAND写入寿命和延迟仍是硬伤,能否落地取决于具体参数,别急着当革命叙事看。
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