三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

📋总体概括

三星电子与阿斯麦宣布扩大战略合作，三星计划于2028年前首次将高数值孔径（High NA）EUV光刻技术用于DRAM大规模生产，这将是该技术在存储芯片领域的首批量产应用之一。同时三星将加入12英寸光罩技术行业合作计划，与合作伙伴共同开发相关技术及基础设施。三星称12英寸光罩可提高晶圆厂生产效率、降低制造成本并减少光罩拼接限制；高NA EUV有望延长DRAM制程微缩路线，通过更高分辨率简化工艺。此举反映存储巨头在制程微缩逼近物理极限下的设备军备竞赛升级。