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阿斯麦赢得台积电和三星承诺 新一代EUV光刻机获强力“护航”
📋总体概括
阿斯麦9月8日连发三份公告,与台积电、三星、英特尔推进下一代High NA极紫外光刻技术应用:台积电计划2030年起将其用于先进制程量产,三星拟2028年前首次将其用于DRAM量产,英特尔称已处理超100万片相关晶圆。合作还涉及用12英寸光掩模取代沿用数十年的6英寸格式,并计划升级掩模尺寸以突破曝光面积上限,为英伟达等设计的大型数据中心芯片提供制造支撑,巩固阿斯麦在先进光刻领域的垄断地位。
⚡关键信息
- ▸阿斯麦一天内连发三条公告,台积电、三星、英特尔三家头部客户同时表态推进High NA EUV技术落地
- ▸台积电计划自2030年起将High NA用于先进制程大规模生产,三星拟2028年前首次将其用于DRAM量产
- ▸英特尔表示已处理超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆,进度领先
- ▸三星称合作将推动12英寸光掩模取代沿用几十年的6英寸格式
- ▸当前EUV单次曝光面积约800平方毫米,已触及英伟达、谷歌等大芯片设计极限,新设备需升级掩模突破限制
🔥犀利点评
这不是简单的商业合作,而是阿斯麦把三家顶级晶圆厂绑上自己战车的垄断加固仪式。High NA单价超3亿美元、良率风险高企,没有大客户共担风险根本推不动——现在三家齐表态,等于替阿斯麦的下一代设备预付了市场通行证。值得玩味的是时间表:台积电量产要等到2030年,说明High NA真正兑现仍是数年后的事,眼下更多是押注和卡位,英特尔那100万片晶圆的宣传意义恐怕大于实际量产意义。
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