1个原子厚的二维半导体！生长400次只失败3次

📋总体概括

韩国科学技术院（KAIST）与初创公司TDS Innovation团队在《自然》发表论文，提出刻蚀通量介导的单一中心成核技术（EF-SCN），通过在生长区域四周构筑氧化物阻挡层，利用分解释放的氧气形成刻蚀通量，抑制中心以外的成核，让二硫化钼单层晶体只在指定中心位置生长，报道称400次生长仅失败3次。用该工艺制备的场效应晶体管载流子迁移率高于以往选择性生长二硫化钼器件的水平，为二维半导体走向晶圆级批量制造提供关键工艺路径。