三星正为英伟达开发8层HBM4E：低堆叠设计、速度提升约20%

快科技8月31日消息，据媒体报道，三星电子已成功拿下英伟达下一代定制高带宽内存（NVHBM）的主供应商地位，正在为其开发一款专属HBM产品。

该方案采用8层低堆叠设计，同时支持17~18Gbps高引脚速率，优先满足英伟达对处理速度的极致追求，而非传统的垂直堆叠层数扩展。较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。 

与标准HBM4E相比，NVHBM在架构层面实现了关键突破——将内存控制器从GPU计算die移至HBM基础die（Base Die）内。这一调整不仅使带宽提升30%、功耗降低15%，还为计算die释放出最多25%的面积，为未来GPU性能提升预留了更大空间。

据TrendForce最新报告，由于DRAM供需失衡预计持续至2027年，叠加原生HBM4E验证进度存在不确定性，英伟达已对Rubin Ultra的HBM配置策略进行调整。

原计划统一采用HBM4E 12层方案，现改为同步评估HBM4E 8层、HBM4 12层及HBM4 8层三种方案，最终规格将在2026年下半年验证后确定。同时，单颗GPU的HBM堆叠数量从4颗减至2颗，对应功耗亦同步下调。

这一调整表明，HBM4E 12层方案的技术挑战与成本压力已超出预期，高性能存储路线图正从激进推进转向务实优化阶段。